9月12日消息，韩国The
Elec近日报道，三星电子和SK海力士两大电子巨头正在积极加速推动12层HBM(高带宽存储器)内存的量产，以满足市场对高性能存储需求的不断增长。这一举措不仅受到了生成式人工智能(AI)的强劲需求的推动，还反映了高带宽存储器在各种应用中的重要性。
随着生成式AI技术的飞速发展，对高性能计算和数据处理的需求也逐渐增加。HBM内存作为一种高带宽、低能耗的存储解决方案，因其出色的性能而备受青睐。目前，市场上主要采用8层HBM堆叠技术，但下一代12层HBM内存即将开始量产。
报道指出，HBM堆叠技术目前主要采用热压粘合(TCB)和批量回流焊(MR)工艺，但最新消息称，三星电子和SK海力士正在积极推进一种名为混合键合(Hybrid
Bonding)的封装工艺，以突破传统工艺所存在的一些限制，如发热问题和封装高度限制。
混合键合中的”混合”一词意味着除了在室温下将铜凸点(bump)键合在一起，两个芯片的非导电部分也会紧密贴合在一起。这意味着在芯片与芯片或晶圆与晶圆之间将没有空隙存在，无需填充环氧树脂。
根据天脉网了解，三星电子和SK海力士等主要公司已成功克服了混合键合工艺所带来的挑战，扩展了传统的TCB和MR工艺，实现了高达12层的HBM堆叠技术。此举不仅提高了输入/输出(IO)吞吐量，还允许在仅有1平方毫米的面积内连接1万到10万个通孔(via)，进一步提升了高性能计算和AI应用的数据处理能力。
本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，请发送邮件至 449@qq.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。本文链接：https://www.hnhgjc.com/n/695967.html
